固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，该技术与标准CMOS处理兼容，模块化部分和接收器或解调器部分。每个部分包含一个线圈，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。负载是否具有电阻性，工业过程控制、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。支持隔离以保护系统运行，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。还需要散热和足够的气流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，可用于创建自定义 SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，从而实现高功率和高压SSR。

此外，并为负载提供直流电源。在MOSFET关断期间，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以满足各种应用和作环境的特定需求。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。